4.1. ТТЛ инвертер

Тоон электроникт хүчдлийн ялгаатай 2 төвшинг ашиглан тоон 2 боломжит төлвийг илэрхийлдэг. Энэхүү хүчдлийн ялгаатай 2 төвшинг логик төвшин гэх бөгөөд хоорондоо ялгаатай 2 төвшинг дараах 3 хэлбэрээр нэрлэнэ. Үүнд:

·         Үнэн ба худал (True and False)

·         Нэг ба тэг (One and Zero)

·         Их ба бага (High and Low)

Транзистор-транзистор-логик (ТТЛ) элемент ашигласан элементийн логик төвшинг зураг 1.1-д үзүүлэв.

Зураг 1.1. ТТЛ логик хүчдлийн төвшин

ТТЛ элементийн оролт дахь хүчдэл 0-оос +0.8в байвал логик 0, +2.0в-оос +5в байвал логик 1, гаралт дахь хүчдэл 0-оос +0.4в байвал логик 0, +2.4в-оос +5в байвал логик 1 төвшин гэж үзнэ. Ерөнхий тохиолдолд ТТЛ элементийн гаралт дахь хүчдэл логик 1 бол +3.5в, логик 0 байвал +0.1в байна. Эндээс ТТЛ элементийн шуугианы өргөн нь 0.4в болохыг харж болно. Өөрөөр хэлбэл ТТЛ элементийн гаралтын логик 1 хүчдлийн төвшин 2.4в боловч шуугианы улмаас 2.0 хүртэл багасахыг зөвшөөрнө. Үүний адилаар ТТЛ элементийн гаралтын логик 0 хүчдлийн төвшин 0.4в боловч шуугианы улмаас энэ хэмжээ 0.8в хүртэл ихсэхийг зөвшөөрнө гэсэн үг. Ингээд ТТЛ элементийн оролт, гаралтын логик хүчдлийг төвшинг хүснэгт 1.1-ээр үзүүлэв.

Хүснэгт 1.1

Vcc, тэжээлийн хүчдэл	+5.0в
Тэжээлийн хүчдлийн зөвшөөрөгдөх хазайлт	+4.75÷+5.25в
VIH, оролтын их хүчдэл (I-input, H-high)	+2.0в
VIL, оролтын бага хүчдэл (I-input, L-low)	+0.8в
VOH, гаралтын их хүчдэл (O-output, H-high)	+2.4в
VOL, гаралтын бага хүчдэл (O-output, L-low)	+0.4в
Шуугианы өргөн (noise margin)	0.4в

ТТЛ инвертер бол ТТЛ технологийн үндсэн суурь элемент болно. Практикт хэрэглэгддэг ТТЛ инвертерийг зураг 1.2-д үзүүлэв.

Зураг 1.2. ТТЛ инвертер

Гаралтыг Q3 ба Q4 транзисторын дундаас авсан бөгөөд ийм гаралтыг татагч-түлхэгч (push-pull) буюу титэмт (totem pole) гаралт гэнэ. (зураг 1.3)

Зураг 1.3. Татагч-түлхэгч гаралт

Транзисторуудын бааз-эмиттерийн np-шилжилт шууд холбогдсон бол түүн дээр унах хүчдлийг 0.7в, бааз-коллекторын np-шилжилт шууд холбогдсон бол түүн дээр унах хүчдлийг 0,6в гэж үзье. Эндээс транзистор ханалтын горимд ажиллаж байвал түүн дээр унах хүчдэл нь 0.1в гэж гарна. Мөн транзисторын бааз-эмиттерийн np-шилжилтийг эмиттерийн диод, бааз-коллекторын np-шилжилтийг коллекторын диод гэж нэрлэнэ. (зураг 1.4)

Зураг 1.4. npn-транзистор

Энд транзисторын эмиттерийн ба коллекторын диод 2-ул шууд холбогдсон бол ханалтын горим, 2-ул урвуу холбогдсон бол хэрчилтийн горим, эмиттерийн диод шууд, коллекторын диод урвуу холбогдсон бол идэвхтэй, эмиттерийн диод урвуу, коллекторын диод шууд холбогдсон бол урвуу идэвхтэй горимд ажиллаж байна гэж үздэг. (хүснэгт 1.2) ТТЛ инвертер нь транзисторын урвуу идэвхтэй горимыг ашигладагаараа онцлог юм. Транзистор урвуу идэвхтэй горимд ажиллаж байх үед эмиттер ба баазаар гүйх гүйдлүүд нийлж коллектороор гүйх бөгөөд баазын гүйдэл нь коллекторын гүйдэлтэй бараг тэнцүү, эмиттерийн гүйдэл нь маш бага байдаг.

Хүснэгт 1.2

Ажлын горим	Эмиттерийн диод	Коллекторын диод
Ханалтын горим	Шууд	Шууд
Хэрчилтийн горим	Урвуу	Урвуу
Идэвхтэй горим	Шууд	Урвуу
Урвуу идэвхтэй горим	Урвуу	Шууд

ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 1 хүчдэл өгье. (зураг 1.5)

Зураг 1.5

D1 диод урвуу холбогдсон тул түүгээр гүйдэл гүйхгүй. D1 диодыг clamping diode гэх бөгөөд оролтонд сөрөг хүчдэл өгөгдөхөөс хамгаалж хэрэглэх тул цаашид энэ диодыг авч үзэхгүй.

Q1 транзисторын эмиттерийн диод дээр унах хүчдэл 0 тул эмиттерийн диод урвуу холбогдох ба үүнээс хамаарч бааз дээр хангалттай их хүчдэл унах боломжтой болох учраас коллекторын диод шууд холбогдож Q1 транзистор урвуу идэвхтэй горимд байна. (зураг 1.6)

Зураг 1.6

Q1 транзисторын коллекторын диод шууд холбогдсон байх тул түүн дээр 0.6в хүчдэл унана. Мөн Q2 ба Q4 транзисторуудын эмиттерийн диодууд шууд холбогдох тул тэдгээр дээр тус бүр 0.7в хүчдэл унана. (зураг 1.7)

Зураг 1.7

Иймд Q1 транзисторын бааз дээр 0.6в+0.7в+0.7в=2.0в хүчдэл унана. Эндээс Q1 транзисторын баазаар  гүйдэл гүйнэ. Транзистор урвуу идэвхтэй горимд ажиллаж байх үед баазаар гүйх гүйдэлтэй бараг тэнцүү гүйдэл коллектораар гүйх бөгөөд эмиттерээр маш бага гүйдэл гүйдэг. Иймээс Q1-ийн баазаар гүйх гүйдэлтэй бараг тэнцүү гүйдэл нь Q2 транзисторын баазаар гүйх тул түүнийг бүрэн нээж ханалтын горимд ажиллуулна.

Q2 транзистор нээлттэй тул түүний коллектор дээр 0.7в+0.1в=0.8в хүчдэл унана. (зураг 1.8) Энэ хүчдлээр Q3 транзисторын эмиттерийн диод ба D2 диодыг зэрэг нээж чадахгүй тул Q3 ба D2 диодууд хаалттай байна. Q3-ийн эмиттерийн диод ба D2 диодууд дээр 0.8в-0.1в=0.7в хүчдэл унах ба энэ 2 np-шилжилтүүд дээр энэ хүчдэл хуваагдаж унана гэж үзвэл тус бүр дээр нь ойролцоогоор 0.4в хүчдэл унана. Үүнээс гадна Q3-ийн коллекторын диод ч гэсэн хаалттай байх тул Q3 транзистор хаалттай буюу хэрчилтийн горимонд байна.

Зураг 1.8

Q2 ханалтын горимд байх тул Q4 транзисторын баазаар  хангалттай гүйдэл гүйх тул Q4 транзистор мөн ханалтын горимд буюу нээлттэй байна. Өөрөөр хэлбэл Q2 транзистор гүйдлийн өсгөгчийн үүрэг гүйцэтгэнэ. Иймээс Q4 нээлттэй тул гаралтанд 0.1в хүчдэл гарна. (зураг 1.9)

Зураг 1.9

Ингээд ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 1 хүчдэл өгвөл Q1 транзистор урвуу идэвхтэй горимд, Q2 ба Q4 транзисторууд нээлттэй, Q3 транзистор хаалттай байх бөгөөд гаралтанд логик 0 байна. (зураг 1.10)

Зураг 1.10

Хүснэгт 1.3

input

A

Q1

B

Q2

C

Q4

D

Q3

D2

F

E

output

5V

2.0V

Inverse active

1.4V

ON

0.7V

ON

0.8V

OFF

OFF

0.4V

5V

0.1V

ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 0 хүчдэл өгье. (зураг 1.11)

Зураг 1.11

Q1 транзисторын эмиттерийн диод нээгдэх тул Q1 транзисторын бааз дээрх хүчдэл 0.7в байна. Харин энэ 0.7в хүчдлээр Q1 транзисторын коллекторын диод, Q2 ба Q4 транзисторуудын эмиттерийн диод гээд 3 np-шилжилтийг нээж чадахгүй тул Q1 транзистор идэвхтэй горимд, Q2 ба Q4 транзисторууд хэрчилтийн горимд байна. Энэ 3 np-шилжилтүүд дээр 0.7в хүчдэл унах ба энэ 3 шилжилтийг адилхан гэж үзвэл тус бүр дээр нь ойролцоогоор 0.2в хүчдэл унана. (зураг 1.12)

Зураг 1.12

Харин Q3 транзисторын хувьд түүний бааз дээр хангалттай их хүчдэл байх тул Q3 транзисторын эмиттерийн диод, D2 диодууд нээгдэж гаралтанд (~4.9v-5.0v)-0.7v-0.7≈3.5v хүчдэл гарах буюу логик 1 байна. (зураг 1.13)

Зураг 1.13

Ингээд ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 0 хүчдэл өгөхөд Q1 транзисторын эмиттерийн диод нээгдэх боловч түүний коллекторын диод, Q2 ба Q4 транзисторуудын эмиттер ба коллекторын диодууд хаалттай байх тул Q1 транзистор идэвхтэй, Q2 ба Q4 транзисторууд хаалттай байна. Мөн Q3 транзисторын  эмиттерийн диод ба D2 диодууд нээгдэж гаралтанд 3.5в буюу логик 1 байна. Q3 транзисторын бааз дээр тэжээлийн хүчдэлтэй бараг тэнцүү хүчдэл унах тул R2 резистороор маш бага гүйдэл гүйнэ. Иймд Q3-ийн бааз дээрх  нь хүчдлийг тэжээлийн хүчдэлтэй ойролцоо 4.9в гэж цаашид үзнэ. Q3 транзистор нь эмиттерийн давтагчийн үүргийг гүйцэтгэх ба маш бага гүйдлийг дамжуулдаг. Өөрөөр хэлбэл Q3 транзистор нь ханалтын горимонд ажиллахгүй боловч гүйдлийн үүсгүүрийн үүргээр ажиллах тул түүнийг цаашид нээлттэй гэж үзнэ. (зураг 1.14)

Зураг 1.14

Хүснэгт 1.4

input	A	Q1	B	Q2	C	Q4	D	Q3	D2	F	output
0V	0.7V	Active	0.4V	OFF	0.2V	OFF	4.9V	ON	ON	4.2V	3.5V

ТТЛ инвертерийн оролтыг юунд ч холболгүй сул үлдээе. (зураг 1.15)

Зураг 1.15

Q1 транзисторын эмиттерээр гүйдэл гүйхгүй тул Q1 транзисторын эмиттерийн диод хаалттай байна.  Харин Q1 транзисторын бааз дээр хангалттай их хүчдэл байгаа тул Q1 транзисторын коллекторын диод, Q2 ба Q4 транзисторуудын эмиттерийн диодууд нээгдэнэ. Q2 ба Q4-ийн баазаар хангалттай хэмжээний гүйдэл гүйх тул Q2 ба Q4 транзисторууд ханалтын горимонд байж гаралт 0.1в хүчдэлтэй байна. Иймээс ТТЛ инвертерийн оролтыг юунд ч холболгүй орхивол гаралтанд логик 0 байх учраас оролтыг хөвөгч 1 (floating high) гэж нэрлэнэ. (зураг 1.16)

Зураг 1.16

Хэрэв гаралтанд их хүчдэл буюу логик 1 байвал ачааллыг зураг 1.17-д үзүүлсэн хэлхээний дагуу холбох ба ачааллаар гүйх гүйдлийг тулгуур гүйдэл (sourcing current) гэж нэрлэнэ.

Зураг 1.17. Тулгуур гүйдэл

Хэрэв гаралтанд бага хүчдэл буюу логик 0 байвал ачааллыг зураг 1.18-д үзүүлсэн хэлхээний дагуу холбох ба ачааллаар гүйх гүйдлийг живэгч гүйдэл (sinking current) гэж нэрлэнэ.

Зураг 1.18. Живэгч гүйдэл

Хоёр ТТЛ инвертерийг цуваа холбосон хэлхээг авч үзье. Тэгвэл зүүн талын инвертер нь баруун талын инвертерийн оролтыг удирдана. Иймээс зүүн инвертерийг жолоодогч (driver), баруун инвертерийг ачаалал (load) гэж үзнэ. Жолоодогчийн гаралтанд логик 1 ба логик 0 байхаас хамааран жолоодогч, ачаалал 2-ын хооронд гүйх тулгуур ба живэгч гүйдлийн чиглэлийг зураг 1.19-д үзүүлэв.

Зураг 1.19. Жолоодогч ба ачаалал

Хэрэв жолоодогчийн гаралтанд логик 1 хүчдэл байвал жолоодогчоос ачаалал уруу тулгуур гүйдэл гүйнэ. (зураг 1.20) Тулгуур гүйдэл нь ачааллын Q1 транзисторын эмиттерийн гүйдлээр хязгаарлагдах бөгөөд Q1 транзистор урвуу идэвхтэй горимд ажиллах ба эмиттерийн гүйдэл нь 40µA байна. Энд эмиттерийн диод урвуу холбогдсон тохиолдолд түүгээр гүйх урвуу гүйдэл ойролцоогоор 40µA байдгийг тооцсон болно.

Зураг 1.20

Хэрэв жолоодогчийн гаралтанд логик 0 хүчдэл байвал ачааллаас жолоодогч уруу живэгч гүйдэл гүйнэ. (зураг 1.21) Живэгч гүйдэл нь ачааллын Q1 транзисторын эмиттерийн гүйдлээр хязгаарлагдах бөгөөд Q1 транзистор идэвхтэй горимд ажиллах ба эмиттерийн гүйдэл нь 1.6mA байна. 

Ачааллын оролт логик 0 байхад ачааллаар гүйх живэгч гүйдэл нь ачааллын Q1 транзисторын бааз болон коллекторын гүйдлээр хязгаарлагдаж ойролцоогоор 1.6mA хэмжээтэй байна. Энэ гүйдлийг оролт 0 байх үеийн гүйдэл буюу товчоор оролтын бага гүйдэл гэх бөгөөд  гэж тэмдэглэнэ.

Жолоодогчийн гаралт логик 0 байхад гаралтын газартай холбогдсон түлхэгч Q4 транзистор нээлттэй байх учраас живэгч гүйдэл нь Q4 транзистороор дамжин газардуулагдана. Q4 транзистораар гүйх гүйдэл нь түүний ханалтын гүйдлээр хязгаарлагдаж ойролцоогоор 16mA хэмжээтэй байна. Энэ гүйдлийг гаралт 0 байх үеийн гүйдэл буюу гаралтын бага гүйдэл гэх бөгөөд  гэж тэмдэглэнэ.

Эндээс нэг жолоодогч гаралт логик 0 байх үед нийтдээ   хүртлэх тооны ачааллыг удирдах боломжтой байна. (зураг 1.22)

Зураг 1.22

Ачааллын оролт логик 1 байхад ачааллаар гүйх тулгуур гүйдэл нь ачааллын Q1 транзисторын эмиттерийн гүйдлээр хязгаарлагдаж ойролцоогоор 40µA хэмжээтэй байна. Энэ гүйдлийг оролт 1 байх үеийн гүйдэл буюу товчоор оролтын их гүйдэл гэх бөгөөд  гэж тэмдэглэнэ.

Жолоодогчийн гаралт логик 1 байхад жолоодогчоор гүйх тулгуур гүйдэл нь жолоодогчийн Q3 транзистороор гүйх гүйдлээр хязгаарлагдаж  хэмжээтэй байна. Энд тэжээлийн хүчдлийн хамгийн бага хэмжээ 4.5в, гаралт логик 1 үед хүчдлийн төвшин хамгийн багадаа 2.4в байна гэдгийг тооцсон болно. Энэ гүйдлийг гаралт 1 байх үеийн гүйдэл буюу товчоор гаралтын их гүйдэл гэх бөгөөд  гэж тэмдэглэнэ.

Эндээс нэг жолоодогч гаралт логик 0 байх үед нийтдээ  хүртлэх тооны ачааллыг удирдах боломжтой байна. (зураг 1.23)

Зураг 1.23

Дээрх зүйлсээс харахад нэг жолоодогчоор нийтдээ 10 хүртлэх тооны ачааллыг найдвартай удирдах боломжтой болох нь харагдаж байна. Үүнийг ТТЛ гейтийн гаралтын чадвар (fan-out) гэж үздэг.

Хүснэгт 1.5

IOH, гаралтын их гүйдэл (O-output, H-high)	400µA
IIH, оролтын их гүйдэл (I-input, H-high)	40µA
Гаралт 1 байх үеийн гаралтын чадвар	10
IOL, гаралтын бага гүйдэл (O-output, L-low)	16mA
IIL, оролтын бага гүйдэл (I-input, L-low)	1.6mA
Гаралт 0 байх үеийн гаралтын чадвар	10
Гаралтын чадвар (fan-out)	10

Мөн ТТЛ инвертерийн Q2, Q4 ба Q3 транзисторууд түлхүүрийн горимд ажиллах ба гаралтанд логик 1 байхад Q3 ханалт, Q2 ба Q4 хэрчилт, гаралтанд логик 0 байхад Q3 хэрчилт, Q2 ба Q4 ханалтын горимонд ажиллана. Иймээс ТТЛ инвертерийн гаралт 1-ээс 0 болж өөрчлөгдөх болон 0-оос 1 болж өөрчлөгдөхөд харилцан адилгүй хугацааны саатал гарна. Өөрөөр хэлбэл инвертерийн оролтонд логик 0 байхад Q3 ханалт, Q2 ба Q4 хэрчилтийн горимд байх бөгөөд гаралтанд логик 1 байна. Хэрэв оролтыг логик 1 болгон өөрчилбөл Q3 хэрчилт, Q2 ба Q4 ханалтын төлөвт шилжинэ. Биполяр транзистор хэрчилтийн төлөвт байгаад ханалтын төлөвт ороход, ханалтын төлөвт байгаад хэрчилтийн төлөвт ороход харилцан адилгүй хугацаа зарцуулдаг. Биполяр транзистор хэрчилтийн төлөвт байхдаа эмиттерийн ба коллекторын диодууд урвуу холбогдож конденсаторын үүрэг гүйцэтгэдэг. Иймээс биполяр транзисторын эмиттер ба коллекторыг тодорхой багтаамжтай конденсатораар төлөөлүүлж үзэж болно. Харин ханалтын горимонд байх үед эмиттер ба коллекторын диодууд шууд холбогдоно. Иймээс хэрчилтийн горимоос ханалтын горимонд шилжихийн тулд диодын урвуу холболтын үед хуримтлуулсан цэнэгийг шавхах хэрэгтэй. Иймээс биполяр транзистор түлхүүрийн горимонд ажиллаж байх үед хэрчилтийн горимоос ханалтын горимонд шилжих үедээ арай их хугацааны саатал үүсгэдэг. Үүнийг тооцвол инвертерийн оролт логик 0-ээс 1 болж өөрчлөгдөхөд Q2 ба Q4 гэсэн 2 транзистор хэрчилтийн горимоос ханалтын горимонд шилжих бол инвертерийн оролт логик 1-ээс 0 болж өөрчлөгдөхөд Q3 транзистор хэрчилтийн горимоос ханалтын горимонд шилждэг учраас арай бага хугацааны саатал үүсгэнэ. Зураг 1.24

 

Зураг 1.24

Бид totem pole буюу татагч-түлхэгч транзистор бүхий гаралтын хувьд логик 0-ээс логик 1 рүү шилжилт хийх үед жолоодогчийн тэжээлээр тулгуур гүйдэл гүйх ба логик 1-ээс логик 0 уруу шилжилт хийх үед ачааллын тэжээлээр живэгч гүйдэл гүйдэг тухай танилцсан билээ. Хэрэв маш олон гейтүүд өндөр давамжтайгаар зэрэг шилжилт хийж байгаа тохиолдолд тэжээлийн утасны хортой индукцлэл маш бага байхад ч тэжээлийн хүчдэлд spike гэж нэрлэгддэг огцом өсөлт үүсэх боломжтой. Мөн түүнчлэн гаралт логик 0-ээс логик 1 болж өөрчлөгдөх агшинд гаралтын 2 транзистор хэсэгхэн хугацаанд 2-ул зэрэг идэвхтэй горимонд байх ба энэ хугацаанд тэжээлээр гүйх гүйдэл ихэснэ. Иймд хэлхээний гаралтын хортой багтаамж болон тэжээлийн утасны бага хэмжээний индукцлэлийн улмаас тэжээлийн хүчдэлд хүчдлийн огцом өөрчлөлт нэмэгдэх боломжтой. Үүнээс урьдчилан сэргийлэх зорилгоор тэжээлийн хүчдэлийг маш бага хэмжээтэй, бага индукцлэлтэй, өндөр давтамжийн конденсатораар дамжуулан газардуулдаг. Практикт энэ конденсатораар ихэвчлэн 0.01-1µF багтаамжтай керамик конденсаторыг ашигладаг. Энэ багтаамжийг decoupling конденсатор гэж нэрлэх бөгөөд тус тусдаа интеграл хэлхээнүүдийн хувьд интеграл хэлхээ болгонд тус тусад нь хэрэглэхийг зөвлөдөг. Энэ конденсаторыг интеграл хэлхээний тэжээлийн хөлд аль болох ойрхон байрлуулна. Мөн харьцангуй өндөр багтаамжтай 1-22µF багтаамжтай конденсаторыг нийт тэжээл болон газардуулгын хооронд холбож тэжээлийн шугам дахь бага давтамжийн флуктацийг дардаг.

Хүснэгт 1.6

tPLH, оролт 0-оос 1 болж өөрчлөгдөхөд гарах саатлын хугацаа (P-propagation delay, LH-low-to-high)	20ns
tPLH, оролт 1-ээс 0 болж өөрчлөгдөхөд гарах саатлын хугацаа (P-propagation delay, HL-high-to-low)	15ns
саатлын хугацаа	18ns

Шалгах асуултууд:

1.       ТТЛ элементийн тэжээлийн хүчдэл, түүний зөвшөөрөгдөх хэлбэлзэл хэд вэ?

2.       Шуугианы өргөн гэж юу вэ? Түүний ач холбогдлыг тайлбарла. ТТЛ элементийн шуугианы өргөн хэд вэ?

3.       ТТЛ инвертерийн оролтонд хэрэглэгддэг D1 диодыг юу гэж нэрлэдэг вэ? Түүний үүргийг тайлбарла?

4.       Стандарт ТТЛ инвертерийн гаралтыг юу гэж нэрлэдэг вэ? Гаралтын хэсгийг зурж ажиллагааг нь тайлбарла?

5.       Стандарт ТТЛ инвертерүүдийн гаралтыг хооронд нь холбож болох уу? Учрыг тайлбарла.

6.       ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 1 хүчдэл өгөхөд гаралтанд ямар дохио гарах вэ?

7.       ТТЛ инвертерийн оролтонд логик 0 хүчдэл өгөхөд гаралтанд ямар дохио гарах вэ?

8.       ТТЛ инвертерийн оролтонд ямар ч дохио өгөөгүй бол гаралтанд ямар дохио гарах вэ?

9.       Жолоодогч (driver) ба ачаалал (load) гэж юуг нэрлэдэг вэ?

10.   Живэгч гүйдэл (sinking current) гэж нэрлэгддэг гүйдлийн замыг зурж хэмжээг нь тооцоол?

11.   Тулгуур гүйдэл (sourcing current) гэж нэрлэгддэг гүйдлийн замыг зурж хэмжээг нь тооцоол?

12.   Гаралтын чадвар (fan out) гэсэн ойлголтыг тайлбарлаж, түүний хэмжээг тооцоол?

13.   Яагаад ТТЛ инвертерийн оролт 1-ээс 0 болж өөрчлөгдөхөд зарцуулах саатлын хугацаа, оролт 0-оос 1 болж өөрчлөгдөхөд зарцуулах саатлын хугацаа ялгаатай байдгийг тайлбарла?

14.   Decoupling конденсатор гэж ямар конденсаторыг нэрлэдэг вэ? Түүний ач холбогдлыг тайлбарла?

15.       ТТЛ элементийн хувьд дараах хүснэгтийг бөглө.

Тэжээлийн хүчдэл, VCC
Тэжээлийн хүчдлийн зөвшөөрөгдөх хэлбэлзлийн утга, VCC±ΔV
Оролтын логик 1 дохионы төвшин, VIH (I-input, H-high)
Гаралтын логик 1 дохионы төвшин, VOH (O-output, H-high)
Оролтын логик 0 дохионы төвшин, VIL (I-input, L-low)
Гаралтын логик 0 дохионы төвшин, VOL (O-output, L-low)
Шуугианы өргөн, (noise margin)
Оролтын дохионы хориотой муж, (forbidden input)
Гаралтын логик 1 дохионы ерөнхий утга, (typical high output)
Гаралтын логик 0 дохионы ерөнхий утга, (typical low output)
Оролт 0-оос 1 болж өөрчлөгдөхөд гаралтын саатлын хугацаа, tPLH (propagation delay low-to-high)
Оролт 1-ээс 0 болж өөрчлөгдөхөд гаралтын саатлын хугацаа, tPHL (propagation delay high-to-low)
Саатлын хугацаа, (propagation delay)
Живэгч гүйдлийн хэмжээ, (sinking current)
Тулгуур гүйдлийн хэмжээ, (sourcing current)
Гаралтын чадвар, (fan-out)
Сул орхисон оролтын дохиог юу гэж ойлгох вэ, (floating input)