0.2. Транзисторын bias-ийг тогтоох

Транзистор нь дараах гурван төлөвт ажиллана.

• 1. Хэрчилтийн төлөв буюу транзистораар гүйх гүйдэл 0 байх. I_c=0 ба V_ce>0
• 2. Ханалтын төлөв буюу транзистораар гүйх гүйдэл хамгийн их утгаа авах ба транзистор дээр унах хүчдэл 0 байх. I_c>0 ба V_ce=0
• 3. Дээрх 2-ын завсрын төлөв буюу идэвхтэй төлөв. Энэ үед транзистораар гүйх гүйдэл ба транзистор дээр унах хүчдэл нь 2-ул зэрэг 0-ээс их байна.

Транзисторын хэрчилтийн ба ханалтын төлвийг ашиглан транзисторт түлхүүр хийх бөгөөд түлхүүрийн горимонд ажиллаж байгаа транзистор дээр ялгарах чадал түлхүүрийн аль ч байрлалд 0 гэж үздэг. Өөрөөр хэлбэл түлхүүр нээлттэй буюу транзистораар гүйдэл гүйх үед транзистор дээр унах хүчдэл 0, түлхүүр хаалттай байх үед транзистораар гүйдэл гүйхгүй учир гүйдэл 0 тул түлхүүрийн аль ч байрлалд транзистор дээр унах чадал 0 байдаг.

Энд үнэндээ биполяр транзистор нь симметр элемент биш. Өөрөөр хэлбэл биполяр транзисторын эмиттерийн муж ба коллекторын муж нь яг адилхнаар үйлдвэрлэгдэггүй учраас эмиттерийн диодны np шилжилт, коллекторын диодны np шилжилтийг ялгаатай байдлаар авч үзэх шаардлагатай. Транзисторын ханалтын төлөвт эмиттерийн ба коллекторын np-шилжилтүүд 2-ул зэрэг нээлттэй байдаг. Эмиттер ба коллекторын np шилжилтүүд ялгаатай тул нээлттэй байх үедээ эмиттерийн np-шилжилт дээр унах хүчдэл 0,7в, коллекторын np-шилжилт дээр унах хүчдлийг 0,6в гэж үзвэл нээлттэй үед транзистор дээр унах хүчдлийг ойролцоогоор 0,1в гэж үзнэ. Өөрөөр хэлбэл биполяр транзистор нь ханалтын төлөвтөө үнэндээ ханадаггүй (хэрэв ханалтын төлөвтөө уг элемент дээр унах хүчдэл 0 байвал ханасан гэж үздэг) учраас өндөр давтамжтай түлхүүрийн зорилгоор ашиглахад төвөгтэй. Өөр нэг ханадаггүй транзистор бол Щотки транзистор болно. Эдгээрийн талаар интеграчлагдсан хэлхээ гэсэн сэдэвт логик түлхүүр хэрхэн хийх талаар дэлгэрэнгүй үзэх тул энд хүргээд үлдээе.

Одоо зөвхөн идэвхтэй төлөвт ажиллах транзисторыг авч үзье.

Транзистор идэвхтэй төлөвт ажиллаж байх үед транзисторын баазаар гүйх гүйдэл ба транзисторын коллектораар гүйх гүйдлүүд хоорондоо шугаман хамааралтай байдаг.

Нэгэнт шугаман хамаарал байгаа тул өмнө үзсэн bias point гэсэн асуудал ахиж тавигдана. Өөрөөр хэлбэл шугаман хамааралтай байх мужийн bias цэгийг /транзистораар гүйх гүйдэл буюу коллекторын гүйдэл, транзистор дээр унах хүчдэл буюу коллектор-эмиттерийн хооронд унах хүчдэл/ тогтооно.

Транзистор идэвхтэй мужид ажиллах үеийн bias-ийг тогтоох хэд хэдэн хэлхээг авч үзье.

1. Хүчдэл хуваагч ашигласан эмиттерийн эсэргүүцэлтэй хэлхээ

Энэ хэлхээг bias-ийг тогтоох уламжлалт сонгодог хэлхээ гэж үздэг.

2. 2 тэжээл үүсгүүртэй эмиттерийн эсэргүүцэлтэй хэлхээ

Энэ хэлхээ нь өмнөх сонгодог загварын 2 тэжээл үүсгүүртэй хувилбар болно.

3. Гэдрэг холбоос ашигласан ерөнхий эмиттертэй хэлхээ

4. Тогтмол гүйдлийн үүсгүүр ашигласан хэлхээ

Жич: эдгээр транзисторт хэлхээний талаар дэлгэрүүлж үзэхгүй бөгөөд энэхүү 4 аргаар bias-ийг тогтоодог болохыг харуулах зорилгоор бичсэн болно. Эдгээр хэлхээг судлахыг хүсэж байвал Adel Sedra-гийн Microelectronic Circuits номноос тогтмол гүйдлийн транзисторт хэлхээ сэдвийг үзэхийг зөвлөж байна.